Приглашенные доклады

Д. Л. Гнатюк, ОСВЧПЭ ЦПМ
Технологии изготовления HEMT-транзисторов миллиметрового диапазона с длиной затвора Lg = 0,25–0,1 мкм с использованием исключительно технологии MOCVD для роста структур и селективного доращивания контактного слоя n+GaN
В. М. Муравьев, ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН
Плазмонный кристалл как платформа для терагерцовой электроники: от фундаментальной физики к приложениям
К. И. Зайцев, ИОФ им. А. М. Прохорова РАН
ТГц спектроскопия и микроскопия биотканей
Р. Р. Галиев, ОСВЧПЭ ЦПМ
Электронная литография элементов радиофотоники: опыт ОСВЧПЭ ЦПМ НИЦ «Курчатовский институт»
А. А. Татаринцев, ФТИ ЦПМ
tba